NXP: BLF7G27L(S)-100–радиочастотный LDMOS-транзистор высокой мощности для базовых станций и приложений с несколькими несущими с диапазоном частот 2.5…2.7ГГц

BLF7G27L(S)-100обеспечивает выходную мощность 14 Вт для сигналов стандарта NCDMA, КПД 24 % и усиление 17.5 дБ во всем рабочем частотном диапазоне.

Выполненный по 28-вольтовой LDMOS-технологии, BLF7G27L(S)-100 представляет собой силовой LDMOS-транзистор со значением мощности в точке компрессии P1dB 100 Вт и коэффициентом усиления 17.5 дБ, предназначенный для применения в составе базовых станциях, работающих в диапазоне частот 2500…2700МГц. Для сигналов стандарта NCDMA выходная мощность составляет 14 Вт при значении коэффициента усиления 17.5 дБ и КПД 24 %.

С использованием версии без крепежных кронштейнов (BLF7G27LS-100) экономится место на печатной плате и имеется возможность пайки непосредственно к радиатору, благодарячему минимизируется переходное тепловое сопротивление и максимально используются возможности данного метода охлаждения. Передаточная характеристика транзистора легко линеаризуема, что хорошо подходит для реализации усилителей по схеме Doherty.

 

 

Отличительные особенности

• Высокая стойкость к неблагоприятным условиям окружающей среды повышает эффективность работы усилителей Догерти
• Низкое тепловое сопротивление обеспечивает температурную стабильность и надежность
• Незначительный эффект памяти обеспечивает превосходные возможности цифрового предыскажения
• Внутренне согласован для простоты использования
• Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
• Отвечает требованиям RoHS

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLF7G27L-100 и BLF7G27LS-100(англ.)

Источник

STMicroelectronics: STC3100–контроллер батарей для портативных приложений с поддержкой функции индикатор заряда (Gas Gauge)

Современные портативные приложения интегрируют в себе все больше мультимедийных функций, каждая из которых предъявляет различные требования к питанию. Это усложняет управление состоянием заряда батарей и предсказание оставшегося времени работы в устройствах, не поддерживающих технологию индикации заряда.

Микросхема STC3100 контролирует три основных параметра батареи: напряжение, ток и температура. Также в контроллере присутствует счетчик кулонов для отслеживания состояния заряда/разряда. Данные функции являются основой для метода мониторинга Gas Gauge.

Доступный в двух типах корпусов, DFN8 3 x 3 мм и miniSO-8, контроллер STC3100 может быть частью схемы устройства, а также может быть интегрирован непосредственно в батарейный блок.

 

Внутренняя архитектура STC3100

 

Отличительные особенности

• Мониторинг напряжения батареи с точностью 0.5%
• Счетчик кулон с 14-битным АЦП и точностью 1%
• Внутренний датчик температуры
• 32Байт RAM памяти для резервного хранения данных о заряде батареи или приложения
• 8Байт уникального идентификатора устройства
• Стандартный двухпроводной I²C-совместимый интерфейс
• Малый ток потребления: 100 мкА в рабочем режиме, 2 мкА в режиме ожидания
• 8-выводные корпуса DFN, размером 3 х 3 мм, и miniSO

 

Типовая схема применения STC3100

 

Отладочная плата

Демонстрационная плата STEVAL-ISB009V1, выполненная на базе STC3100, позволяет осуществлять мониторинг критически важных параметров одноэлементной ионно-литиевой аккумуляторной батареи (напряжение, температуру и силу тока) и оснащена всеми необходимыми аппаратными средствами для реализации функций индикации заряда (Gas Gauge) батареи на основе программируемого 12-/14-битного АЦП.

Система поддерживает ток батареи до 2.5 А, емкость аккумулятора до±7000мАч с разрешением 0.2 мАч

STC3100программируется посредством I²Cинтерфейса.

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на STC3100(англ.)

Руководство по применению: Применение устройства мониторинга батареи STC3100 для реализации функций индикации заряда(англ.)

Источник

Osram Opto Semiconductors: LH CP7P Oslon SSL 80–гиперкрасные светодиоды с длиной волны 656 нм

Светодиоды, предназначенные для повышения урожайности путем стимулирования роста растений.

Натриевые лампы высокого давления (HPS, High Pressure Sodiumlamps) широко используются в садоводстве при создании надлежащих условий для роста растений в сезоны года с низким уровнем естественного освещения. Как правило, один гектар парникового хозяйства, использующего натриевые лампы высокого давления, потребляет около 10000 мегаватт-часэлектроэнергии в год. Однако только 7 % света, излучаемого данными лампами, поглощается растениями. Большая часть освещения тратится без пользы. Один из путей мгновенного повышения эффективности использования электроэнергии – переход на светодиодное освещение. Например, если рассматривать выращивание в теплице салата, затраты на электроэнергию для получения урожая, могут быть снижены на 20 .. 30 %.

Кроме того, по последним исследованиям, в случае фруктов, для получения большего количества, веса или биомассы, а также ускорения темпов роста, имеет значение соответствующая длина волны освещения и цветовая температура источника излучения. При оптимизации освещения в процессе выращивании томатов, величина затрат энергии вджоулях на килограмм выращенных фруктов, существенно сокращается. Подобными способами может быть на 20 % увеличен урожай огурцов. Также, применением данных методов,становится возможным повышение качества урожая и продление вегетативного периода роста растений.

Отличительные особенности

• Компактный светодиод с высокой плотностью светового потока для низкопрофильных приложений
• Керамический корпус для поверхностного монтажа с силиконовой герметизацией и куполообразной линзой
• Типовая мощность излучения: 320 мВт при токе 400 мА и до 735 мВт при тока 1 А
• Доминирующая длина волны: 656 нм
• Угол излучения: 80&geg;
• Оптическая эффективность: 44% при токе 400 мА
• Защита от электростатических разрядов: до 8 кВ в соответствии с JESD22-A114-D
• Высокая стойкость к коррозии

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Источник

Freescake Semiconductor: MCF5441x–Семейство микропроцессоров с архитектурой ColdFire™

Сочетание богатой периферии микроконтроллера и вычислительной мощности микропроцессора

Наличие в семействе MCF5441x серии ColdFire V4 основной коммуникационной периферии и функций защиты делает возможным создание дешевых и простых в разработке сетевых устройств.

Семейство MCF5441X идеально подходит для применения в промышленных, бытовых и общего назначения приложениях благодаря богатому набору коммуникативных возможностей,таких как:

• Организация топологии Daisy chain over Ethernet–поддержка последовательного подключения Ethernet-устройств со встроенным 3-портовым коммутатором Layer 2
• Большая гибкость в удовлетворении текущих и будущих нужд благодаря наличию до 10 последовательных портов
• Возможность получения более сложной сетевой конфигурации благодаря сдвоенным Ethernet-портам
• Введение дополнительной точности в работу приложения благодаря тактовой синхронизацию по протоколу IEEE 1588 с помощью метода отметки времени

 

Внутренняя архитектура MCF5441x

 

Отличительные особенности

• Процессорное ядро ColdFire®версии 4 с контроллером доступа к среде Ethernet (EMAC) и блоком управления памятью (MMU)
• Производительность до 385 Dhrystone 2.1 MIPS на частоте 250 МГц
• 8КБайт кэш-памяти инструкций и 8 КБайт кэш-памяти данных
• 64КБайт внутренней SRAM-памяти, с двухпортовым соединением с локальной шиной процессора и другими master-устройствами матричного коммутатора
• Начальная загрузка системы из NOR, NAND FLASH, SPI FLASH, EEPROM или FRAM памяти
• Технология матричного коммутатора (XBS) для одновременного доступа к периферийным модулям или RAM памяти различных ведущих (master) устройств шины
• 64-канальный контроллер прямого доступа к памяти (DMA)
• Контроллер SDRAM, поддерживающий работу 8-битной DDR2 памяти с частотой до 250 МГц
• 32-битный интерфейс внешней памяти FlexBus для поддержки RAM, ROM, MRAM и устройств программируемой логики
• Контроллер USB 2.0 Host (ведущий)
• Контроллер USB 2.0 Host/Device (ведущий/ведомый) с функцией On-The-Go
• Двухканальный контроллер 10/100 Ethernet MAC с функцией контроля/генерации циклического избыточного кода, поддержкой протокола IEEE 1588-2002 и дополнительного Ethernet коммутатора
• Интегрированный в ЦПУ аппаратный ускоритель криптографии с функцией контроля циклическим избыточным кодом и поддержкой алгоритмов DES, 3DES, AES, MD5, SHA-1 и SHA-256
• Генератор случайных чисел
• Расширенный хост-контроллер Secure Digital поддержки карт памяти SD, SDHC, SDIO, MMC и MMCPlus
• Два интерфейса смарт-карт ISO7816
• Два модуля FlexCAN
• Шесть интерфейсов I²Cс поддержкой функций DMA в режиме ведущий
• Два синхронных последовательных интерфейса
• Четыре 32-битных таймера с поддержкой функций DMA
• Четыре программируемых таймера прерываний
• 8-канальный 16-битный ШИМ таймер управления двигателем
• Сдвоенный 12-битный АЦП
• Сдвоенный 12-битный ЦАП с поддержкой функций DMA
• Модуль однопроводного интерфейса с поддержкой функций DMA
• Контроллер NAND FLASH памяти
• Часы реального времени с тактовым генератором на 32 кГц, 2 КБайт SRAM и входом питания от батареи
• До четырех последовательных периферийных интерфейсов с поддержкой функций DMA (DSPI)
• До 10 каналов UART с поддержкой однопроводного режима
• До 5 линий IRQ внешних запросов прерывания и 2 пары внешних DMA запросов/извещений
• До 16 высокоскоростных линий ввода/вывода общего назначения (Rapid GPIO) локальной шины процессора
• До 87 стандартных линий ввода/вывода общего назначения
• Рабочий диапазон температур -40…+85°C
• Доступны в корпусах MAPBGA-196 и MAPBGA-256

Область применения

Автоматизация зданий	Отладочная плата TWR-MCF5441X-KIT
Промышленные контроллеры и сети
Диагностическое оборудование (Не портативное)
Управление двигателями
VoIPтелефония

Инструментальные средства

Модуль TWR-MCF5441X-KIT является частью модульной платформы разработки Tower System компании Freescale, позволяющей не только сократить время проектирования но и многократно использовать ее для новых разработок путем реконфигурации платформы. TWR-MCF5441X-KITвыполнена на базе микропроцессора MCF54418, отличающегося мощным набором периферийных устройств, включая интегрированную аналоговую часть, коммутатор второго уровня(L2 switch) и двухканальный Ethernet контроллер, и высокой производительностью. Добавьте Linux и операционную систему реального времени MQX, плюс CodeWarroior IDE и вы получите мощныйпрограммный пакет разработки для сетевых промышленных приложений.

Платформа разработки TOWER компании Freescale

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на MCF5441x(англ.)

Источник

ISSI: IS66WV–новая серия псевдостатической RAM памяти

Недорогая высокоскоростная CMOS PSRAM с объемом памяти 4 / 8 / 16 / 32 и 64 Мбит

Псевдостатическая память PSRAM представляет собой комбинацию преимуществ динамической памяти DRAM (высокая плотность при малой цене бита) и статической памяти SRAM (низкое энергопотребление и простота использования).

PSRAM– высокоскоростная псевдостатическая CMOS-память, предназначенная для недорогих портативных приложений. Данные устройства поддерживают стандартный промышленныйасинхронный интерфейс обмена данными, предлагаемый в других низкопотребляющих микросхемах статической или псевдостатической памяти. Для непрерывного режима работы с асинхронной шиной памяти, в данных PSRAM-компонентах применяется явный механизм саморегенерации. Скрытая регенерация не нуждается в дополнительном обслуживании системным контроллером памяти и не оказывает существенного влияния на производительность операций записи/чтения устройства.

Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.

Отличительные особенности

Приведенные ниже параметры относятся к устройствам с 32 Мбит и 64 Мбит памяти

• Различные режимы работы
  • Интерфейс с поддержкой асинхронного и постраничного режимов
  • Одиночное устройство поддерживает асинхронный и пакетный режимы
  • Смешанный режим работы с поддержкой операций асинхронной записи и синхронного чтения
• Сдвоенная шина питания для оптимальной производительности
  • Напряжение питания ядра V_DD: 1.7…1.95В (1.8-вольтовая версия)
  • Напряжение питания линий ввода/вывода V_DDQ: 1.7…1.95В (1.8-вольтовая версия)
  • Напряжение питания ядра V_DD: 2.7…3.6В (3-вольтовая версия)
  • Напряжение питания линий ввода/вывода V_DDQ: 2.7…3.6В (3-вольтовая версия)
• Время чтения в постраничном режиме
  • Межстраничный режим чтения: 70 нс
  • Внутристраничный режим чтения: 20 нс
• Функции энергосбережения
  • Регенерация с контролем по температуре
  • Частичная регенерации ячеек памяти
  • Режим глубокого снижения энергопотребления (DPD– Deep Power-Down)
• Ток потребления
  • Асинхронный режим работы: менее 30 мА
  • Внутристраничный режим чтения: менее 18 мА
  • Режим ожидания: менее 110 мкА (32 Мбит), менее 180 мкА (64 Мбит)
  • Режим DPD: менее 3 мкА (тип.)
• Диапазон рабочих температур: -40…+85°C
• Доступные корпуса: 48-выводные TFBGA и TSOP-I

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на 66WV25616ALL/BLL(англ.)

Документация на 66WV51216ALL/BLL(англ.)

Документация на 66WVE2M16BLL(англ.)

Документация на 66WVE4M16BLL(англ.)

 

Веб-страница компании ISSIпо компонентам Pseudo SRAM памяти

Источник

Texas Instruments: DRV8412 / DRV8432–сдвоенные мостовые ШИМ-драйверы для управления электродвигателями

DRV8412/DRV8432представляют собой высокоэффективные и высокоинтегрированные сдвоенные мостовые драйверы управления электродвигателем с развитой системой защиты.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала R_DS(ON)плечевых MOSFET-транзисторов и интеллектуальной системе управления, производительность данного драйвера при управлении электродвигателями может достигать 97%, что дает возможность использования менее мощных источников питания и меньших размеров теплоотводящих элементов. Эти обстоятельства позиционируют драйвер как отличный вариант для разработки энергоэффективных устройств.

Драйверы DRV8412 и DRV8432 работают от двух источников питающего напряжения: первый, 12 В – питание линий VDD и GVDD, второй, до 50 В – напряжение питания линии PVDD. Частота переключений драйверов может достигать 500 КГц, что обеспечивает простое и точное регулирование и высокое КПД. Также в устройствах интегрирована передовая схема защиты, осуществляющая защиту от различных аварийных ситуаций, способных вывести систему из строя.

 

Внутренняя архитектура DRV8412/DRV8432

 

Отличительные особенности

• Высокоэффективный силовой каскад (КПД до 97%) с низким сопротивлением открытого канала R_DS(ON)MOSFET-транзистора (80 мОм при температуре перехода T_J= 25°C)
• Рабочее напряжение питания до 50 В (70 В–абсолютный максимум)
• DRV8412 (теплоотводящая контактная площадка снизу):
  • до 2 х 3 А постоянного выходного тока (2 х 6 А пиковый) в сдвоенном мостовом режиме
  • до 6 А постоянного выходного тока (12 А пиковый) в параллельном режиме
• DRV8432 (теплоотводящая контактная площадка сверху):
  • до 2 х 7 А постоянного выходного тока (2 х 12 А пиковый) в сдвоенном мостовом режиме
  • до 14 А постоянного выходного тока (24 А пиковый) в параллельном режиме
• Рабочая частота ШИМ до 500 кГц
• Интегрированная схема защиты, включающая защиту от недопустимого падения напряжения, перегрева, перегрузки по току и короткого замыкания
• Программируемая схема поциклового ограничения силы тока
• Независимые выводы питания и земли для каждого полумоста
• Интеллектуальная схема управления затвором и предотвращения перекрестной проводимости
• Не требуется внешних снабберов или диодов Шоттки

Область применения

• Коллекторные двигатели постоянного тока и шаговые двигатели
• 3-фазные бесколлекторные двигатели
• Робототехника
• Электроприводы и насосы
• Высокоточный инструмент
• Управление термоэлектрическими охладителями

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на DRV8412 / DRV8432(англ.)

Источник

NXP: BLS6G2731S-130–оконечный силовой транзистор для радарных приложений диапазона 2.7 .. 3.1 ГГц

Транзистор обеспечивает выходную мощность 130 Вт для импульсных радиочастотных сигналов, высокий коэффициент усиления мощности 17 дБ и значение КПД 47%.

Данный силовой LDMOS-транзистор, поддерживающий напряжение питания до 32 В, предназначен для радарных приложений с частотным диапазоном 2.7 .. 3.1 ГГц. Отличительными особенностями компонента являются значение выходной мощности 130 Вт для импульсных радиочастотных сигналов, высокий коэффициент усиления мощности 17 дБ и КПД 47%.

BLS6G2731S-130предназначен для использования в качестве оконечного силового транзистора в составе выходных каскадов усилителей. В полной мере возможности данного транзисторареализуются при использовании совместно с драйвером BLS6G2731-6G.

 

 

Отличительные особенности

• Типовые импульсные радиочастотные характеристики, при рабочей частоте 2.7…3.1ГГц, напряжении питания 32 В, токе стока покоя I_Dq= 100мА, времени импульса t_p= 300мкс иδ = 10 %
  • Выходная мощность = 130 Вт
  • Коэффициент усиления мощности = 12.5 дБ
  • Эффективность = 47%
• Более высокие коэффициент усиления и эффективность по сравнению с традиционной биполярной технологией
• Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
• Высокая гибкость к форме импульса входного сигнала
• Превосходная устойчивость к неблагоприятным условиям окружающей среды
• Улучшенные термические характеристики
• Ориентированы на широкополосные приложения в диапазоне 2.7…3.1ГГц
• Схема внутреннего согласования для простоты использования
• Отвечает требованиям директивы RoHS 2002/95/EC

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLS6G2731S-130(англ.)

Источник