понедельник, 28 марта 2011 г.

NXP: DAC1408D750– совместимый со стандартом JESD204A сдвоенный 14-битный ЦАП, предназначенный для применения в устройствах широкополосной связи и измерительной аппаратуре

Оптимизированный для высокочастотных приложений, таких как беспроводные 2.5/3/4G-сети, видеотрансляционное и измерительное оборудование, данный передовой в своем классе ЦАП имеет в своем составе интерполяционный фильтр с возможностью выбора порядка и четырехканальный последовательный CGVTM-интерфейс, удовлетворяющий требованиям нового стандарта JEDEC JESD204A.

Серия DAC1408D от компании NXP представляет собой сдвоенный 14-битный цифро-аналоговый преобразователь с интегрированным интерполяционным фильтром, значение порядка которого может быть выбрано из ряда 2x, 4x или 8x. Это высокоскоростное решение, предназначенное для множества современных применений, включая передатчики одно- и многополосных беспроводных коммуникационных сетей. Данные ЦАП доступны с 10, 12 и 14-битным разрешением и с поддержкой максимальной частоты дискретизации до 650 или 750 MSPS (млн. выборок в сек.).

Для управления I- и Q-входами на кристалле предусмотрен узел цифровой модуляции, осуществляющий конвертирование из немодулированного сигнала в сигнал промежуточной частоты. Частота смесителя имеет возможность подстройки путем конфигурации 32-битного генератора с числовым управлением (NCO, Numerically Controlled Oscillator) через последовательный SPI–интерфейс. Фаза сигнала управляется содержимым 16-битного регистра. Интегрированные интеллектуальные функции фазовой компенсации, подстройки коэффициента усиления и коррекции смещения обеспечивают несложную реализацию на базе данного ЦАП соединений посредством аналоговых квадратурных модуляторов. DAC1408D оснащен4-канальным CGVTM-приемником со скоростью ввода данных до 3.125 Гбит/с и возможностью смены полярности и номера канала.

 

Внутренняя архитектура DAC1408D750

 

Разработанный компанией NXP, интерфейс CGVTM(Convertisseur Grande Vitesse),в буквальном переводе с французского–высокоскоростной преобразователь, представляет собой расширенную реализацию последовательного интерфейса стандарта JEDEC JESD204A, с увеличенными скоростью (до 4 Гбит/с в сравнении со стандартной скоростью 3.125 Гбит/с, что является увеличением на 28%) и дальностью передачи (до 100 см в сравнении со стандартным расстоянием 20 см, т.е. увеличение на 400%) данных, расширенным набор функций (множественная синхронизация ЦАП) и гарантированной функциональной совместимостью с устройствами FPGA.

Расширенные возможности интерфейса CGV включают функцию мультисинхронизации устройств (MDS, Multi Device Synchronization), которая не конкретизирована какими-либо четкими требованиями в спецификации JEDEC, но информативно освещена в стандарте. Компанией NXP данная функция реализована для возможности применения высокоскоростных преобразователей данных в широкополосных оптоволоконных и других современных мультиканальных приложениях. Реализованная в устройстве мультисинхронизация предназначена длясинхронизации выборок в потоках данных нескольких ЦАП и поддержания фазовой когерентности сигналов.

Этот новый интерфейс имеет ряд преимуществ перед традиционными параллельными методами передачи: простая топология печатной платы, меньшее число линий вводы/вывода, возможность сокращения слоев платы, соответственно, снижение ее стоимости, снижение излучаемых помех, самосинхронизация задержек на длину проводника, компенсация искажений сигнала.

В число других отличительных особенностей входят возможность ввода данных в дополнительном коде или формате с двоичным смещением, а также значение интермодуляционных искажений по 3-й гармонике 76 dBc при частоте выборок 640 MSPS и частоте выходного сигнала FOUT= 140МГц. Микросхемы серии DAC1408D также имеют возможность внешнего тактирования, совместимого с LVDS-уровнями, и возможность внутреннего умножения тактовой частоты в 2, 4 и 8раз. Имеется встроенная система масштабирования полного тока выходной шкалы до 20 мА. Цифровая коррекция смещения может быть использована для задания постоянногоуровня выходного сигнала ЦАП при применении в устройствах с непосредственной связью. Два вспомогательных внутренних цифро-аналоговых источника постоянного токапозволяют реализовывать компенсацию смещения между ЦАП и последующим блоком передающего тракта.

Отличительные особенности

  • Двухканальный ЦАП с разрешением 10, 12, 14 бит
  • Максимальное быстродействие 650 (DAC1408D650) и 750 (DAC1408D750) млн. выборок в сек.
  • 4-канальный цифровой последовательный вход стандарта JEDEC JESD204A
  • 32-битный программируемый синтезатор частоты с функцией пониженного энергопотребления
  • SPI-интерфейс управления и статуса
  • 64-выводной корпус HVQFN
  • Функция синхронизации нескольких ЦАП
  • Интерполяционный фильтр 2х, 4х и 8х порядка

Инструментальные средства

Эта демонстрационная плата на базе DAC1408D750 предназначена для оценки динамических характеристик ЦАП во всем диапазоне выходных частот, может легко подключаться к отладочным платам для FPGA (Xilinx, Altera или Lattice) и позволяет продемонстрировать все возможности интерфейса CGVTMJESD204A.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на DAC1408D750(англ.)


Источник

воскресенье, 27 марта 2011 г.

NXP: ADC1613D125–двухканальный 16-битный АЦП с последовательным выходом стандарта JESD204A

Оптимизированный для высокоскоростных применений, передовой в своем классе двухканальный АЦП с двумя линиями последовательного интерфейса CGVTMстандарта JEDEC JESD204A.

ADC1613D125от компании NXP– 2-канальный аналого-цифровой преобразователь, поддерживающий последовательную передачу цифровых данных в соответствии с новым интерфейсным стандартом JEDEC JESD204A. Для поддержания скорости преобразования 125 MSPS (млн. выборок в сек.) при 16-битном разрешении необходим всего один CGVTM-передатчик на канал.

Разработанный компанией NXP, интерфейс CGVTM(Convertisseur Grande Vitesse),в буквальном переводе с французского–высокоскоростной преобразователь, представляет собой расширенную реализацию последовательного интерфейса стандарта JEDEC JESD204A, с увеличенными скоростью (до 4 Гбит/с в сравнении со стандартной скоростью 3.125 Гбит/с, что является увеличением на 28%) и дальностью передачи (до 100 см в сравнении со стандартным расстоянием 20 см, т.е. увеличение на 400%) данных, расширенным набор функций (множественная синхронизация ЦАП) и гарантированной функциональной совместимостью с устройствами FPGA.

 

Внутренняя архитектура ADC1613D125

 

АЦП демонстрирует превосходные динамические характеристики в широкой полосе пропускания (до 600 МГц), что позволяет с успехом использовать данный компонент в телекоммуникационном оборудовании, системах промышленного зрения и медицинской технике. Дополнительный SPI-интерфейс обеспечивает несложную настройку и мониторинг режимов работы преобразователя и последовательного JEDEC-передатчика. Все представители данного семейства совместимы по выводам, что позволяет легкую модернизацию законченного изделия без изменения топологии печатной платы. Для работы АЦП требуется два источника питания с однополярным напряжением– 3В, для питания аналоговых цепей, и 1.8 В, для питания выходных цифровых драйверов.

Отличительные особенности

  • Соотношение сигнал/шум (SNR): 71.6 дБ (тип.)
  • Свободный от помех динамический диапазон (SFDR): 89 дБ (тип.)
  • Максимальная частота преобразования: 65, 80, 105 или 125 MSPS (млн. выборок в сек.)
  • Двухканальный АЦП с конвейерной архитектурой, разрешением 11, 12, 14 и 16 бит, с двухступенчатой линейной калибровкой
  • Две конфигурируемые последовательные линии вывода данных CGVTM,соответствующие стандарту JESD204A
  • Внутренний регулятор напряжения
  • 56-выводной корпус HVQFN

Область применения

  • Проводные и беспроводные системы широкополосной связи, особенно с режимом работы с несколькими несущими
  • Широкополосные анализаторы спектра
  • Системы промышленного зрения
  • Медицинское оборудование
  • Контрольно-измерительные приборы

Инструментальные средства

Эта демонстрационная плата на базе ADC1613D125 предназначена для оценки динамических характеристик АЦП во всем диапазоне входных частот, может легко подключаться к отладочным платам для FPGA (Xilinx, Altera или Lattice) и позволяет продемонстрировать все возможности интерфейса CGVTMJESD204A.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на ADC1613D(англ.)

Документация на ADC1413D(англ.)


Источник

суббота, 26 марта 2011 г.

NXP: BGA7×2x–усилители средней мощности для всего спектра приложений в диапазоне частот 400…2700МГц

Данные усилители средней мощности содержат цепи активного смещения и поддерживают регулировку тока покоя в энергосберегающем дежурном режиме.

Широкие возможности данных монолитных интегральных СВЧ-микросхем (MMIC, Monolithic Microwave Integrated Circuit) характеризуют их как идеальный выбор для организации сетей устройствмобильной связи. Микросхемы обеспечивают наивысшее усиление во всем диапазоне частот, на которых работают базовые станции. Возможность регулирования токов покояпозволяет добиться высокого КПД и линейности при работе усилителя в режиме AB. Цепи смещения обеспечивают стабильную работу во всем заявленном диапазоне температур и нечувствительность к перепадам напряжения питания.

В микросхеме реализована энергосберегающая функция дежурного режима для быстрого перевода усилителя в неактивное состояние. Усилитель может быть настроен на работу в какой-либо конкретной частотной полосе в диапазоне от очень высоких частот (VHF, Very High Frequency– 30…300МГц) до 2.7 ГГц. Отличные температурные характеристики (30°C/Вт) гарантируют надежность и качество работы во всем допустимом температурном диапазоне.

 

Типовая схема включения усилителей BGA7×2x

 

Отличительные особенности

  • Схема защиты от электростатических разрядов на всех выводах
  • Напряжение питания от 3.3 до 5 В
  • Интегрированная схема активного смещения
  • Быстрый переход в неактивный режим (shutdown)
  • Функция регулировки тока покоя
  • Два варианта корпуса: миниатюрный безвыводной HVSON8 и выводной SOT-89

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BGA7024(англ.)

Документация на BGA7124(англ.)

Документация на BGA7127(англ.)


Источник

пятница, 25 марта 2011 г.

NXP: BGU700x–серия усилителей с низким уровнем шумов (LNA, Low-Noise Amplifier) для GPS навигаторов

Улучшенная чувствительность, повышенная устойчивость

Добейтесь наиболее короткого времени первого определения местоположения (TTFF, Time-To-First-Fix), используя малошумящий усилитель для GPS, произведенный с использованием технологического процесса QUBiC4X SiGe:C.

Данные малошумящие усилители предназначены для применения в GPS-приемниках, и производятся с использованием передового технологического процесса QUBiC4X, являющегосячастью 0.25 мкм-технологии SiGe:C компании NXP.

Усилители отличаются очень низким уровнем шумов и превосходными параметрами линейности, что позволяет получить повышение общей чувствительности, результатом чего в конечном итоге является снижение времени первого определения местоположения TTFF и лучшее позиционирование.

Использование данных устройств позволяет добиться высокой чувствительности, обеспечить устойчивость к влиянию внедиапазонных сигналов сотовых сетей, снизить требования к уровню фильтрации и общую стоимость изделия. Усилители могут быть расположены непосредственно возле антенны, благодаря чему снижается уровень наводимых помех. Дополнительный каскад усиливает GPS-сигнал, тем самым повышая соотношение сигнал/шум приемного тракта.

 

 

BGU7003,отличающийся миниатюрными размерами и высокой гибкостью применения, идеально подходит для внешних GPS-модулей. В свою очередь, усилитель BGU7005 оптимизирован для работы с минимальным количеством внешних некритичных элементов, что отлично подходит для дискретной реализации входного тракта GPS-приемника. BGU7007 обеспечивает коэффициент усиления на 2 дБ выше, по сравнению с BGU7005, для приложений, требующих максимальной чувствительности.

Область применения

GPS-приемник может размещаться вблизи основной антенны телефона, для лучших характеристик GSM/UMTS связи, в то время как GPS-антенна может располагаться на максимальном удалении. Такая конфигурация позволяет увеличить уровень изоляции между антеннами и повысить качество работы схемы.

Все специализированные малошумящие усилители компании NXP имеют вход разрешающего сигнала (Enable). В режиме пониженного энергопотребления усилители потребляют менее1 мкА.

Отличительные особенности

  • BGU7003
    • Компактный, 6-выводной корпус SOT-891, размером 1.0 х 1.0 х 0.5 мм
    • Низкий уровень шумов: 0.8 дБ при 1.575 ГГц
    • Коэффициент усиления входной мощности: 18.3 дБ при 1.575 ГГц
    • Ток потребления в режиме power-down: менее 1 мкА
    • Схема защиты от электростатических разрядов на всех выводах
    • Диапазон напряжения питания: 2.2…2.85В
    • Проверенный, высоконадежный технологический процесс производства QUBiC4X SiGe:C (fT= 110ГГц)
    • Интегрированная, стабилизированная по температуре, схема смещения упрощает проектирование системы
    • Ток смещения регулируется внешним резистором
  • BGU7005
    • Компактный, 6-выводной корпус SOT-886, размером 1.45 х 1.0 х 0.5 мм
    • Низкий уровень шумов: 0.9 дБ при 1.575 ГГц
    • Коэффициент усиления входной мощности: 16.5 дБ (17.5 дБ в режиме подавления сигнала передатчика сотового телефона) при 1.575 ГГц
    • Ток потребления в режиме power-down: менее 1 мкА
    • Схема защиты от электростатических разрядов на всех выводах
    • Диапазон напряжения питания: 2.2…2.85В, оптимально для питания от батареи напряжением 1.8 В
    • Проверенный, высоконадежный технологический процесс производства QUBiC4X SiGe:C (fT= 110ГГц)
    • Требует всего два внешних компонента
  • BGU7007
    • Компактный, 6-выводной корпус SOT-886, размером 1.45 х 1.0 х 0.5 мм
    • Низкий уровень шумов: 0.85 дБ при 1.575 ГГц
    • Коэффициент усиления входной мощности: 18.5 дБ (19.5 дБ в режиме подавления сигнала передатчика сотового телефона) при 1.575 ГГц
    • Ток потребления в режиме power-down: менее 1 мкА
    • Схема защиты от электростатических разрядов на всех выводах
    • Диапазон напряжения питания: 2.2…2.85В, оптимально для питания от батареи напряжением 1.8 В
    • Проверенный, высоконадежный технологический процесс производства QUBiC4X SiGe:C (fT= 110ГГц)
    • Требует всего два внешних компонента

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BGU7003(англ.)

Документация на BGU7005(англ.)


Источник

четверг, 24 марта 2011 г.

NXP: BLF7G27L(S)-100–радиочастотный LDMOS-транзистор высокой мощности для базовых станций и приложений с несколькими несущими с диапазоном частот 2.5…2.7ГГц

BLF7G27L(S)-100обеспечивает выходную мощность 14 Вт для сигналов стандарта NCDMA, КПД 24 % и усиление 17.5 дБ во всем рабочем частотном диапазоне.

Выполненный по 28-вольтовой LDMOS-технологии, BLF7G27L(S)-100 представляет собой силовой LDMOS-транзистор со значением мощности в точке компрессии P1dB 100 Вт и коэффициентом усиления 17.5 дБ, предназначенный для применения в составе базовых станциях, работающих в диапазоне частот 2500…2700МГц. Для сигналов стандарта NCDMA выходная мощность составляет 14 Вт при значении коэффициента усиления 17.5 дБ и КПД 24 %.

С использованием версии без крепежных кронштейнов (BLF7G27LS-100) экономится место на печатной плате и имеется возможность пайки непосредственно к радиатору, благодарячему минимизируется переходное тепловое сопротивление и максимально используются возможности данного метода охлаждения. Передаточная характеристика транзистора легко линеаризуема, что хорошо подходит для реализации усилителей по схеме Doherty.

 

 

Отличительные особенности

  • Высокая стойкость к неблагоприятным условиям окружающей среды повышает эффективность работы усилителей Догерти
  • Низкое тепловое сопротивление обеспечивает температурную стабильность и надежность
  • Незначительный эффект памяти обеспечивает превосходные возможности цифрового предыскажения
  • Внутренне согласован для простоты использования
  • Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
  • Отвечает требованиям RoHS

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLF7G27L-100 и BLF7G27LS-100(англ.)


Источник

воскресенье, 20 марта 2011 г.

STMicroelectronics: STC3100–контроллер батарей для портативных приложений с поддержкой функции индикатор заряда (Gas Gauge)

Современные портативные приложения интегрируют в себе все больше мультимедийных функций, каждая из которых предъявляет различные требования к питанию. Это усложняет управление состоянием заряда батарей и предсказание оставшегося времени работы в устройствах, не поддерживающих технологию индикации заряда.

Микросхема STC3100 контролирует три основных параметра батареи: напряжение, ток и температура. Также в контроллере присутствует счетчик кулонов для отслеживания состояния заряда/разряда. Данные функции являются основой для метода мониторинга Gas Gauge.

Доступный в двух типах корпусов, DFN8 3 x 3 мм и miniSO-8, контроллер STC3100 может быть частью схемы устройства, а также может быть интегрирован непосредственно в батарейный блок.

 

Внутренняя архитектура STC3100

 

Отличительные особенности

  • Мониторинг напряжения батареи с точностью 0.5%
  • Счетчик кулон с 14-битным АЦП и точностью 1%
  • Внутренний датчик температуры
  • 32Байт RAM памяти для резервного хранения данных о заряде батареи или приложения
  • 8Байт уникального идентификатора устройства
  • Стандартный двухпроводной I2C-совместимый интерфейс
  • Малый ток потребления: 100 мкА в рабочем режиме, 2 мкА в режиме ожидания
  • 8-выводные корпуса DFN, размером 3 х 3 мм, и miniSO

 

Типовая схема применения STC3100

 

Отладочная плата

Демонстрационная плата STEVAL-ISB009V1, выполненная на базе STC3100, позволяет осуществлять мониторинг критически важных параметров одноэлементной ионно-литиевой аккумуляторной батареи (напряжение, температуру и силу тока) и оснащена всеми необходимыми аппаратными средствами для реализации функций индикации заряда (Gas Gauge) батареи на основе программируемого 12-/14-битного АЦП.

Система поддерживает ток батареи до 2.5 А, емкость аккумулятора до±7000мАч с разрешением 0.2 мАч

STC3100программируется посредством I2Cинтерфейса.

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на STC3100(англ.)

Руководство по применению: Применение устройства мониторинга батареи STC3100 для реализации функций индикации заряда(англ.)


Источник

суббота, 19 марта 2011 г.

Osram Opto Semiconductors: LH CP7P Oslon SSL 80–гиперкрасные светодиоды с длиной волны 656 нм

Светодиоды, предназначенные для повышения урожайности путем стимулирования роста растений.

Натриевые лампы высокого давления (HPS, High Pressure Sodiumlamps) широко используются в садоводстве при создании надлежащих условий для роста растений в сезоны года с низким уровнем естественного освещения. Как правило, один гектар парникового хозяйства, использующего натриевые лампы высокого давления, потребляет около 10000 мегаватт-часэлектроэнергии в год. Однако только 7 % света, излучаемого данными лампами, поглощается растениями. Большая часть освещения тратится без пользы. Один из путей мгновенного повышения эффективности использования электроэнергии – переход на светодиодное освещение. Например, если рассматривать выращивание в теплице салата, затраты на электроэнергию для получения урожая, могут быть снижены на 20 .. 30 %.

Кроме того, по последним исследованиям, в случае фруктов, для получения большего количества, веса или биомассы, а также ускорения темпов роста, имеет значение соответствующая длина волны освещения и цветовая температура источника излучения. При оптимизации освещения в процессе выращивании томатов, величина затрат энергии вджоулях на килограмм выращенных фруктов, существенно сокращается. Подобными способами может быть на 20 % увеличен урожай огурцов. Также, применением данных методов,становится возможным повышение качества урожая и продление вегетативного периода роста растений.

Отличительные особенности

  • Компактный светодиод с высокой плотностью светового потока для низкопрофильных приложений
  • Керамический корпус для поверхностного монтажа с силиконовой герметизацией и куполообразной линзой
  • Типовая мощность излучения: 320 мВт при токе 400 мА и до 735 мВт при тока 1 А
  • Доминирующая длина волны: 656 нм
  • Угол излучения: 80&geg;
  • Оптическая эффективность: 44% при токе 400 мА
  • Защита от электростатических разрядов: до 8 кВ в соответствии с JESD22-A114-D
  • Высокая стойкость к коррозии

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку


Источник

пятница, 18 марта 2011 г.

Freescake Semiconductor: MCF5441x–Семейство микропроцессоров с архитектурой ColdFire™

Сочетание богатой периферии микроконтроллера и вычислительной мощности микропроцессора

Наличие в семействе MCF5441x серии ColdFire V4 основной коммуникационной периферии и функций защиты делает возможным создание дешевых и простых в разработке сетевых устройств.

Семейство MCF5441X идеально подходит для применения в промышленных, бытовых и общего назначения приложениях благодаря богатому набору коммуникативных возможностей,таких как:

  • Организация топологии Daisy chain over Ethernet–поддержка последовательного подключения Ethernet-устройств со встроенным 3-портовым коммутатором Layer 2
  • Большая гибкость в удовлетворении текущих и будущих нужд благодаря наличию до 10 последовательных портов
  • Возможность получения более сложной сетевой конфигурации благодаря сдвоенным Ethernet-портам
  • Введение дополнительной точности в работу приложения благодаря тактовой синхронизацию по протоколу IEEE 1588 с помощью метода отметки времени

 

Архитектура MCF5441x
Внутренняя архитектура MCF5441x

 

Отличительные особенности

  • Процессорное ядро ColdFire®версии 4 с контроллером доступа к среде Ethernet (EMAC) и блоком управления памятью (MMU)
  • Производительность до 385 Dhrystone 2.1 MIPS на частоте 250 МГц
  • 8КБайт кэш-памяти инструкций и 8 КБайт кэш-памяти данных
  • 64КБайт внутренней SRAM-памяти, с двухпортовым соединением с локальной шиной процессора и другими master-устройствами матричного коммутатора
  • Начальная загрузка системы из NOR, NAND FLASH, SPI FLASH, EEPROM или FRAM памяти
  • Технология матричного коммутатора (XBS) для одновременного доступа к периферийным модулям или RAM памяти различных ведущих (master) устройств шины
  • 64-канальный контроллер прямого доступа к памяти (DMA)
  • Контроллер SDRAM, поддерживающий работу 8-битной DDR2 памяти с частотой до 250 МГц
  • 32-битный интерфейс внешней памяти FlexBus для поддержки RAM, ROM, MRAM и устройств программируемой логики
  • Контроллер USB 2.0 Host (ведущий)
  • Контроллер USB 2.0 Host/Device (ведущий/ведомый) с функцией On-The-Go
  • Двухканальный контроллер 10/100 Ethernet MAC с функцией контроля/генерации циклического избыточного кода, поддержкой протокола IEEE 1588-2002 и дополнительного Ethernet коммутатора
  • Интегрированный в ЦПУ аппаратный ускоритель криптографии с функцией контроля циклическим избыточным кодом и поддержкой алгоритмов DES, 3DES, AES, MD5, SHA-1 и SHA-256
  • Генератор случайных чисел
  • Расширенный хост-контроллер Secure Digital поддержки карт памяти SD, SDHC, SDIO, MMC и MMCPlus
  • Два интерфейса смарт-карт ISO7816
  • Два модуля FlexCAN
  • Шесть интерфейсов I2Cс поддержкой функций DMA в режиме ведущий
  • Два синхронных последовательных интерфейса
  • Четыре 32-битных таймера с поддержкой функций DMA
  • Четыре программируемых таймера прерываний
  • 8-канальный 16-битный ШИМ таймер управления двигателем
  • Сдвоенный 12-битный АЦП
  • Сдвоенный 12-битный ЦАП с поддержкой функций DMA
  • Модуль однопроводного интерфейса с поддержкой функций DMA
  • Контроллер NAND FLASH памяти
  • Часы реального времени с тактовым генератором на 32 кГц, 2 КБайт SRAM и входом питания от батареи
  • До четырех последовательных периферийных интерфейсов с поддержкой функций DMA (DSPI)
  • До 10 каналов UART с поддержкой однопроводного режима
  • До 5 линий IRQ внешних запросов прерывания и 2 пары внешних DMA запросов/извещений
  • До 16 высокоскоростных линий ввода/вывода общего назначения (Rapid GPIO) локальной шины процессора
  • До 87 стандартных линий ввода/вывода общего назначения
  • Рабочий диапазон температур -40…+85°C
  • Доступны в корпусах MAPBGA-196 и MAPBGA-256

Область применения

Автоматизация зданий
Отладочная плата TWR-MCF5441X-KIT
Промышленные контроллеры и сети
Диагностическое оборудование (Не портативное)
Управление двигателями
VoIPтелефония

Инструментальные средства

Модуль TWR-MCF5441X-KIT является частью модульной платформы разработки Tower System компании Freescale, позволяющей не только сократить время проектирования но и многократно использовать ее для новых разработок путем реконфигурации платформы.

TWR-MCF5441X-KITвыполнена на базе микропроцессора MCF54418, отличающегося мощным набором периферийных устройств, включая интегрированную аналоговую часть, коммутатор второго уровня(L2 switch) и двухканальный Ethernet контроллер, и высокой производительностью. Добавьте Linux и операционную систему реального времени MQX, плюс CodeWarroior IDE и вы получите мощныйпрограммный пакет разработки для сетевых промышленных приложений.


Платформа разработки TOWER компании Freescale

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на MCF5441x(англ.)


Источник

четверг, 17 марта 2011 г.

ISSI: IS66WV–новая серия псевдостатической RAM памяти

Недорогая высокоскоростная CMOS PSRAM с объемом памяти 4 / 8 / 16 / 32 и 64 Мбит

Псевдостатическая память PSRAM представляет собой комбинацию преимуществ динамической памяти DRAM (высокая плотность при малой цене бита) и статической памяти SRAM (низкое энергопотребление и простота использования).

PSRAM– высокоскоростная псевдостатическая CMOS-память, предназначенная для недорогих портативных приложений. Данные устройства поддерживают стандартный промышленныйасинхронный интерфейс обмена данными, предлагаемый в других низкопотребляющих микросхемах статической или псевдостатической памяти. Для непрерывного режима работы с асинхронной шиной памяти, в данных PSRAM-компонентах применяется явный механизм саморегенерации. Скрытая регенерация не нуждается в дополнительном обслуживании системным контроллером памяти и не оказывает существенного влияния на производительность операций записи/чтения устройства.

Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.

Отличительные особенности

Приведенные ниже параметры относятся к устройствам с 32 Мбит и 64 Мбит памяти

  • Различные режимы работы
    • Интерфейс с поддержкой асинхронного и постраничного режимов
    • Одиночное устройство поддерживает асинхронный и пакетный режимы
    • Смешанный режим работы с поддержкой операций асинхронной записи и синхронного чтения
  • Сдвоенная шина питания для оптимальной производительности
    • Напряжение питания ядра VDD: 1.7…1.95В (1.8-вольтовая версия)
    • Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 1.7…1.95В (1.8-вольтовая версия)
    • Напряжение питания ядра VDD: 2.7…3.6В (3-вольтовая версия)
    • Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 2.7…3.6В (3-вольтовая версия)
  • Время чтения в постраничном режиме
    • Межстраничный режим чтения: 70 нс
    • Внутристраничный режим чтения: 20 нс
  • Функции энергосбережения
    • Регенерация с контролем по температуре
    • Частичная регенерации ячеек памяти
    • Режим глубокого снижения энергопотребления (DPD– Deep Power-Down)
  • Ток потребления
    • Асинхронный режим работы: менее 30 мА
    • Внутристраничный режим чтения: менее 18 мА
    • Режим ожидания: менее 110 мкА (32 Мбит), менее 180 мкА (64 Мбит)
    • Режим DPD: менее 3 мкА (тип.)
  • Диапазон рабочих температур: -40…+85°C
  • Доступные корпуса: 48-выводные TFBGA и TSOP-I

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на 66WV25616ALL/BLL(англ.)

Документация на 66WV51216ALL/BLL(англ.)

Документация на 66WVE2M16BLL(англ.)

Документация на 66WVE4M16BLL(англ.)

 

Веб-страница компании ISSIпо компонентам Pseudo SRAM памяти


Источник

вторник, 15 марта 2011 г.

Texas Instruments: DRV8412 / DRV8432–сдвоенные мостовые ШИМ-драйверы для управления электродвигателями

DRV8412/DRV8432представляют собой высокоэффективные и высокоинтегрированные сдвоенные мостовые драйверы управления электродвигателем с развитой системой защиты.

Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON)плечевых MOSFET-транзисторов и интеллектуальной системе управления, производительность данного драйвера при управлении электродвигателями может достигать 97%, что дает возможность использования менее мощных источников питания и меньших размеров теплоотводящих элементов. Эти обстоятельства позиционируют драйвер как отличный вариант для разработки энергоэффективных устройств.

Драйверы DRV8412 и DRV8432 работают от двух источников питающего напряжения: первый, 12 В – питание линий VDD и GVDD, второй, до 50 В – напряжение питания линии PVDD. Частота переключений драйверов может достигать 500 КГц, что обеспечивает простое и точное регулирование и высокое КПД. Также в устройствах интегрирована передовая схема защиты, осуществляющая защиту от различных аварийных ситуаций, способных вывести систему из строя.

 

Внутренняя архитектура DRV8412/DRV8432

 

Отличительные особенности

  • Высокоэффективный силовой каскад (КПД до 97%) с низким сопротивлением открытого канала RDS(ON)MOSFET-транзистора (80 мОм при температуре перехода TJ= 25°C)
  • Рабочее напряжение питания до 50 В (70 В–абсолютный максимум)
  • DRV8412 (теплоотводящая контактная площадка снизу):
    • до 2 х 3 А постоянного выходного тока (2 х 6 А пиковый) в сдвоенном мостовом режиме
    • до 6 А постоянного выходного тока (12 А пиковый) в параллельном режиме
  • DRV8432 (теплоотводящая контактная площадка сверху):
    • до 2 х 7 А постоянного выходного тока (2 х 12 А пиковый) в сдвоенном мостовом режиме
    • до 14 А постоянного выходного тока (24 А пиковый) в параллельном режиме
  • Рабочая частота ШИМ до 500 кГц
  • Интегрированная схема защиты, включающая защиту от недопустимого падения напряжения, перегрева, перегрузки по току и короткого замыкания
  • Программируемая схема поциклового ограничения силы тока
  • Независимые выводы питания и земли для каждого полумоста
  • Интеллектуальная схема управления затвором и предотвращения перекрестной проводимости
  • Не требуется внешних снабберов или диодов Шоттки

Область применения

  • Коллекторные двигатели постоянного тока и шаговые двигатели
  • 3-фазные бесколлекторные двигатели
  • Робототехника
  • Электроприводы и насосы
  • Высокоточный инструмент
  • Управление термоэлектрическими охладителями

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на DRV8412 / DRV8432(англ.)


Источник

пятница, 11 марта 2011 г.

NXP: BLS6G2731S-130–оконечный силовой транзистор для радарных приложений диапазона 2.7 .. 3.1 ГГц

Транзистор обеспечивает выходную мощность 130 Вт для импульсных радиочастотных сигналов, высокий коэффициент усиления мощности 17 дБ и значение КПД 47%.

Данный силовой LDMOS-транзистор, поддерживающий напряжение питания до 32 В, предназначен для радарных приложений с частотным диапазоном 2.7 .. 3.1 ГГц. Отличительными особенностями компонента являются значение выходной мощности 130 Вт для импульсных радиочастотных сигналов, высокий коэффициент усиления мощности 17 дБ и КПД 47%.

BLS6G2731S-130предназначен для использования в качестве оконечного силового транзистора в составе выходных каскадов усилителей. В полной мере возможности данного транзисторареализуются при использовании совместно с драйвером BLS6G2731-6G.

 

 

Отличительные особенности

  • Типовые импульсные радиочастотные характеристики, при рабочей частоте 2.7…3.1ГГц, напряжении питания 32 В, токе стока покоя IDq= 100мА, времени импульса tp= 300мкс иδ = 10 %
    • Выходная мощность = 130 Вт
    • Коэффициент усиления мощности = 12.5 дБ
    • Эффективность = 47%
  • Более высокие коэффициент усиления и эффективность по сравнению с традиционной биполярной технологией
  • Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
  • Высокая гибкость к форме импульса входного сигнала
  • Превосходная устойчивость к неблагоприятным условиям окружающей среды
  • Улучшенные термические характеристики
  • Ориентированы на широкополосные приложения в диапазоне 2.7…3.1ГГц
  • Схема внутреннего согласования для простоты использования
  • Отвечает требованиям директивы RoHS 2002/95/EC

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLS6G2731S-130(англ.)


Источник